晶体谐振器晶体谐振器主要技术指标
频率准确度:振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差:在温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的允许频率偏差。
晶体谐振器
负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。
静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。
工作温度范围:能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。
频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的允许频偏。
ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
ftref=±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|]
ft:频率温度稳定度(不带隐含基准度)
ftref:频率温度稳定度(带隐含基准温)
fmax :规定温度范围内测得的频率
fmin:规定温度范围内测得的频率
fref:规定基准温度测得的频率
晶体谐振器说明
采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器,故ftref指标的晶体振荡器售价较高。
负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容,用CL表示。
负载电容系列:8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF
激励电平:晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等
老化率:在确定时间内输出频率的相对变化。
基频:在振动模式阶次的振动频率。
泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍,这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。[1]