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化学吸附仪

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化学吸附仪技术指标

禁止测试碱性较强的材料(例如K2O、Na2CO3、NaOH等);禁止使用H2S、SO2等酸性气体作为吸附气体;以H2作为吸附气体时,务必打开半导体冷阱(及循环水)捕获反应过程中产生的H2O,以防止H2O对TCD造成影响;当以对热电偶有腐蚀(危害)的气体作为吸附气体时,将热电偶的位置更改至反应管外部(需安装热电偶夹);反应管的使用温度范围为-196℃~1000℃,勿超温使用;定期保养TCD检测器(方法见相关文件);。[1]

化学吸附仪主要功能

TPR:确定催化剂中可被还原成分的数量、开始被还原的温度、还原的截止温度等;TPO:催化剂在完成TPR还原之后重新被氧化,确定被重新氧化部分占总共被还原部分的比例,用这个比例来反映催化剂的循环氧化还原性能;TPD:.确定催化剂表面可用活性点在吸附某种气体后,在一定温度下,这些被吸附的气体从表面活性点,脱出时所需要的能量(解吸附能),以便通过解吸附能的大小反应催化剂的活性强弱;脉冲化学吸附:确定催化剂活性表面积,催化剂表面金属分散率,活性颗粒大小;。[1]
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