半导体热分析仪

0-1(2)安培电流测量准确度：±5mA(±10mA) 仪表显示：±0.5mA(±1.0mA)0-10(20)安培电流测量准确度：±20mA(±40mA) 仪表显示：±5mA(±10mA)电压测量准确度：±0.2%，±10mV仪表显示：±5mV热电偶测量准确度：（标准类型T）：±0.15℃典型，±0.15℃（温度感应通道准确度：±0.5%，±2%脉冲时间准确度/重复性：±0.1%，±1%温度测试延时：最小3毫秒芯片连接脉冲选择：0.002-1000秒模拟输出控制端口：0-10VDC采样频率：333kHz继电器驱动接口： （8），30mA，@50mA外部供电电压：50伏外部供电电流：10（20）安培感应电流选择范围：1mA，5mA，可调整范围：0.1-50mA加热和冷却曲线时间分辨率：1微秒加热和冷却曲线的跨度：1微秒 - 10000秒加热和冷却曲线点绘制每10：15紧凑的动态优化模型玩具与2-8离散阶段。^[1]

测试已封装的半导体器件的热属性，包括半导体器件封装二极管，发光二极管，双极晶体管，MOSFET，功能模拟/数字集成电路，ACSICS，IGBT的，可控硅，晶闸管等。利用结温的测量，热分析仪分析技术准。^[1]